三星电子避冷就热两季压缩DDR2提高闪存

　　据国外媒体援引消息人士透露，韩国芯片巨头三星电子计划进一步缩减DDR2内存产能，并将生产线用于盈利更好的NAND闪存。 据业内消息人士透露，在本季度，三星电子已经将其DDR2内存的产能压缩了大约5000万个 “256Mbit单位”。到明年第一季度，该公司计划进一步压缩5000万个单位。这位消息人士说，三星电子计划用这些腾出的生产线生产目前市场供不应求的NAND闪存产品。 三星电子这个举措符合存储市场调研公司iSuppli对明年DRAM市场所作的估计。据这家机构预期，明年全球DRAM销售将下降5.1％，降至2 9.7亿美元。不过在2007年迎来反弹。 另据投行高盛公司表示，在今年三季度，三星电子NAND闪存生产率维持在42%，已经超过了普通内存生产约17%个百分点。目前，三星占据全球DRAM市场约 0%的份额，在NAND闪存领域，则“霸占”了60%的市场。 目前，NAND闪存处于火爆局面，苹果公司甚至支付12亿美元定金从几大闪存厂商抢购产品。 根据11月份媒体报道，三星电子还在向“应用材料”、ASML、Novellus等芯片设备制造商定购装备，而重点也是提高闪存产量。 （来源：中国五金）