爱普生和富士通研发出下一代FRAM技术

　　爱普生（Seiko Epson）以及富士通（Fujitsu）公司于1月29日宣布，两家公司通过一项合作计划发展出了下一代的铁电随机存储技术（FRAM），并公布了相关的结果。

　　自从2005年6月两家公司宣布开展这一项合作计划开始，爱普生和富士通就一直在致力于研发下一代的FRAM非易失性存储技术。最近这一合作计划成功完成，并且取得了预期中的结果。

　　通过开展这一计划，两家公司发展出了制造、处理、评估新型铁电（PZT）薄膜的技术以及FRAM记忆体核心处理技术，这一技术高度完整（是传统的FRAM技术的四倍），拥有很高的性能（比传统FRAM的读写速度快超过 倍），并且有优异的可靠性（能反复读写超过一百万亿次）。

　　FRAM是目前数据安全存储领域的最前沿技术，吸引着大批科学家进行研究，而爱普生和富士通的这一成果是世界首例。由于能在CMOS上进行相关处理，因此可望得到大批量生产。爱普生希望将这一成果和它们的低能耗CMOS技术结合，来促进一体化大规模集成电路（LSIs）的发展和商品化，这将可用于多种便携性设备。

　　而富士通公司则将继续将这一合作计划的成果实现大批量生产。此外还将利用FRAM的低能耗以及高度写速率的优势，使其在合适的安全应用市场发挥作用。富士通表示，将开发出新的植入了FRAM的微控制器市场，并且满足不同的客户需求。