美国应用材料发布面向45nm以后工艺的激区域

美国应用材料公司（Applied Materials）发布了能够以ms为单位进行退火的激光退火装置“Applied Vantage Astra”。主要在形成45nm工艺以后逻辑LSI的镍硅（NiSi）接触时使用。台湾台积电（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）已决定在28nm工艺的逻辑LSI上采用该装置。

Applied Vantage Astra可采用波长为810nm的固体激光来局部提高晶圆表面的温度。例如，可在ms单位内将200℃以下的晶圆表面加热至1000℃以上。用于形成MOS晶体管源漏极的镍硅接触时，通过减小镍硅中的缺陷、以及改善界面状态，晶体管的通态电流增加了 ～4％。

除了镍硅外，该装置还可用于High-k/金属栅极、三维元件和内存等领域。应用材料将在“SEMICON JAPAN 2009”（12月2日～4日，幕张Messe会展中心）上介绍Applied Vantage Astra。