信息科技DXP今年底用于SSD推位置

信息科技： DXPoint今年底用于SSD 推动相变存储量产化进程 类别： 机构： 研究员：

[摘要]

三星、东芝、海力士、美光等巨头抢滩 DNAND市场时，Intel悄然将 DXPoint（相变存储）用于SSD中，预计2016年下半年开始在大陆大连工厂进行生产。2016年有望破解相变存储核心技术，加速推进相变存储器在存储界的地位。

报告摘要1. DXPoint2016年底开始用于SSD中：三星、东芝、海力士、美光等巨头抢滩 DNAND市场时，Intel悄然讲 DXPoint（相变存储）用于SSD中，预计2016年下半年开始在大陆大连工厂进行生产。

2. DXpoint比 DNAND有更优的性能： DXpoint的寿命是 DNAND的1000倍，比目前的 DNAND速度快上1000倍，储存密度是DRAM的10倍。

. DXPoint的核心技术-选通管有望破解：相变存储叠层的核心技术使选通管，Intel对其选通管材料做了最严密的保护，2016年产品推出市场，有望破解核心技术。

1.事件- DXpoint将首次用于SSD2016年，TCLSSD以其低价优势，进入市场，各家巨头纷纷推出 DSSD，抢滩市场，加速SSD价格下滑并进一步替代HDD。

三星的 DNAND已广泛用于SSD，并占有近40%的市场份额，东芝、海力士等加快 DNAND生产。

在各大巨头抢滩 DNA我曾经写过一篇争议挺大的《90%的传统媒体做号都没有意义》ND时，Intel率先将相变存储用于SSD。据闪存市场称，2016年底，Intel开始将 DXpoint导入到SSD中，属于“Optane”品牌，预计将在2016下半年开始在大陆大连工厂进行生产。由于基于更高性能的 DXpoint，英特尔“Optane”品牌SSD主要基于较SATA更高传输带宽的PCIe/NVMeGen x2，而规格形态主要是M.2和GBA。

2.事件点评2.1相变存储器的优势明显从我们之前的一篇报告《莫尼塔TMT赵成团队-相变储存资料汇总》中的存储技术参数（典型值）对比表可以看出，相变存储具有非易失、高速读写、存储密度适中和嵌入式应用等优势，相变存储第一次将高速、随机访问和非易失在同一个存储介质上实现。

2.2相变存储器的发展方向明确相变存储的发展方向与NANDFlash类似，分为多层和多级。2015年Intel和Micron联合推出新型存储技术 DXPoint， DXPoint是一种相变存储多层技术，利用叠层技术，来增加储存器容量和性能。不久前IBM首次实现 -bit多级存储，即是一种多级技术，将原来的两种储存状态转变为8个储存状态，在每个节点上增加了存储容量。由于相变存储存储原理的原因，电阻在每次存储后，容易飘，不稳定，因此多级比多层更难实现，多层最先实现量产。

如下图给出的 DXPoint技术图，图中绿色部分是相变存储单元。黄色部分选通管，通过选通管实现相变存储的叠层，该选通管技术是Intel叠层的核心技术，在读取数据时，通过三维坐标选定选通管，即可读取所连接存储单元中的数据，实现点访问，加快读取速度。

2. DXpoint各方面性能优于 DNAND DNAND与 DXpoint都是叠层技术，但两者有本质的不同。

1. DNAND优势：1）容量较大，可达Tb级别；2）技术较成熟，48层已经能实现量产，工艺已经能达到96层； ）价格合理。

劣势：1）各存储单元之间的选通管还是沿用的单晶硅，由于硅的局限性，不能直接实现叠层， DNAND的叠层是一种封装技术，每一层配备一个电路；2）由于 DNAND是条状分布，每次读取数据时，需要读取一整条的数据，才能获得所需数据。

2. DXpoint优势：1）速度是NAND的1000倍；2）寿命是NAND的1000倍； ）密度是DRAM的十倍；4）选通管脱离了硅的束缚，可实现直接叠层，多层共用一个电路；5）直接实现点访问。

劣势：1）目前最大容量是128G；2）价格较高； ）目前工艺可能拆除违法建筑1542处、25.3万平方米是两层。

随着Intel与Micron叠层技术的成熟，未来可叠多层，增加存储密度。IBM多级技术的发展，能进一步提高存储密度。相变存储各方面性能可优于NAND。

2.4Intel此举有望推动相变存储器的量产进程Intel首先突破了选通管核心技术，实现了相变存储器的叠层，将相变存储器的储存空间从8Gb提升到128Gb，2016年底Intel欲将 DXPoint用于SSD，在大陆的大连工场进行生产。

此举国企改制的成本压力也在逐渐减小有望推动相变存储器的量产进程。

产品推出市场后，其核心技术-选通管的曝光，有利于引入更多进入者，并降低相变存报道还表示储器的成本，更快实现产品的更新换代。

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