沟槽填充p型氮化镓可增加InGaNLED

　　韩国首尔国立大学和三星电子有限公司已经使用填充有p型氮化镓的沟槽来增加InGaN LED的输出功率。

　　沟槽的目的是使孔更有效地进入多量子阱（MQW）结构。在传统的LED中，来自顶部p-GaN接触层的孔往往要远离阱顶部，这意味着从阱下部发出的光不会太多。通过沟槽，研究人员希望增加进入装备较深部份的孔的数量（图1a）。

　　图1.（a）常规LED和p型沟槽LED的MQW孔散布（b） 存在或消除时，MQW的能带结构

　　研究人员也希望用沟槽分裂应变材料能减少由III族氮化物极化引起MQW结构中的压电场。 的出现是由于GaN和InGaN晶体结构之间出现晶格失配。

　　在量子阱结构中，在内建极化电场的作用下，能带产生倾斜，电子和空穴产生分离，波函数交叠量减少，并转换成光子（图1b），这就是通常说的量子限制斯塔克效应（QCSE）。通过在半极性或非极性晶体取向中生长材料可以避免这类影响，但是通常需要使用昂贵的自立式或大块的GaN基板。

　　空穴运输差是导致高电流注入时效率下落的其中一个原因。由于大多数的电子-空穴复合发生在一个或两个阱中，非辐射“俄歇”似的起始电流就会下降。另外，电子溢出到p-GaN接触层中的概率大大增加。

　　用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在c面蓝宝石基板上生长的的 nm/12nm InGaN / GaN多量子阱，通过电子束光刻法定义沟槽。有源区发出蓝光。光刻在聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）抗蚀剂的100nm涂层上进行。通过电感耦合等离子体蚀刻将构成沟槽的图案转移到MQW结构中，在950℃温度和200Torr压力下，p型GaN填充的沟槽横向生长。

　　研究人员还尝试了一种选择性湿蚀刻法，在165℃的乙二醇中使用氢氧化钾来构成沟槽，通过增加氧化铟锡（ITO）电流扩散层来测试结构的电致发光。金属接触点为铬/镍。

　　研究人员估计，没有沟槽的装备排放的光输出功率是具有类似有源区域的LED的约5％。通过干蚀刻产生沟槽增加了光输出，并将蓝移转为较短的波长（图2）。

　　图2.（a）使用电子束光刻和常规结构的p型沟槽结构的光输出功率; （b）电致发光（EL）; 和（c）正向和（d）反向电流。

　　1μm时沟槽的光输出最大。研究人员评论道：“这是因为p型沟槽结构也减少了MQW的体积，同时减少了 和QCSE。因此，为了将光输出功率最大化，重要的是优化沟槽结构体积与剩余MQW体积之间的比率。”

　　波长位移在500nm时最大 – 从无沟槽的4 1nm到420nm，有效的带隙因此从2.76eV增加到2.85eV，这得归功于 松弛。p沟道对给定的电压增加了正向电流，而且在反向偏压下增加了泄漏。

　　沟槽的湿蚀刻也增加了光输出功率，但并没有显著提高。此外，该技术在松弛 时不是十分有效。电流-电压行为也受湿蚀刻沟槽地影响较小。