而且相比传统 SF+产品技术

两条产品线提升了移动设备的可靠性、数据传输率并降低成本

德克萨斯州奥斯汀和中国北京，2011年1月20日—专长于无线应用领域先进功率放大器技术的无晶圆厂半导体公司Black Sand科技有限公司日前宣布：公司已推出两条新的 G CMOS射频功率放大器(PA)产品线，它们显著地提升各种手机、平板电脑和数据卡的可靠性和数据传输量。该产品系列包括6个特别的、覆盖多个频段的功率放大器。

其BST 4系列功率放大器被设计为现有 G GaAs射频功率放大器的立即替代产品，而且实现了完全的功能及管脚兼容。由GaAs转换到CMOS，可确保移动设备制造商们能够从改善的供应链、更高的可靠性和更低的成本中获益。

凭借其带有的TrueDelivered 高性能功率检测器，BST 5系列将总辐射功率(TRP)性能实现了高达2dB的提升，还在实际工作环境中降低了掉线率，并提升了数据传输速率。BST 501是业界首款向射频前端提供这一功能的芯片。该器件的性能指标达到或超过了GaAs功率放大器芯片的输出功率、线性度、效率和噪音指标。

每个系列的首款产品在今年2月就能供货。这次产品发布之前，Black Sand发布展示了全球首款 G CMOS 功率放大器。

Black Sand公司首席执行官John Diehl说：“我们的技术赢得了我们初始客户和移动运营商们异常积极的响应。尤其是BST 5系列产品帮助智能手机和数据卡厂家达到了他们的行业设计目标，并在实际环境中获得了良好的TPR性能，从而确保了更少的掉线率和更快的数据传输速度，而且没有额外的eBOM组件和成本。”

“鉴于GaAs功率放大器技术长期存在的供应短缺和成本构成更高的问题，移动设备制造商们正在寻求一种能替代GaAs功率放大器技术的产品。BST 4 和BST 5产品系列使我们的客户能够快速获得满足其超大批量生产所需要的功率放大器技术。” Black Sand公司的营销副总裁Jim Nohrden说。

“我们有一个比现今存在的所有GaAs功率放大器供应商联合起来还要大的战略供应基础；而随着市场继续采用 G移动设备，这已证明将是至关重要的，因为 G移动设备上的功率放大器数量是2G手机的两到三倍。在2011年里，我们的产品将会为我们的客户提供更好的性能和一个更加可靠的供应源。”

技术规范

BST 4 和 BST 5系列采用 x mm大小、10管脚方式封装。BST 4系列包含一个带有菊链支持的内置方向性耦合器，同时还集成有过压和过温保护电路。BST 5产品系列采用Black Sand的TrueDeliveredTM功率探测技术，并具备100：1的强大驻波比(VSWR)，是GaAs功率放大器的10倍。

BST 4产品线包括：用于“2100” 频段-1 (1920-1980 MHz)的BST 401，用于PCS 频段-2 (1850-1910 MHz)的BST 402，以及用于AWS 频段-4 (1710-1755 MHz)、 日本频段-9 (1749.9 - 1784.9 MHz) 和拉美频段-10 (1710-1770 MHz)的BST 404。

BST 5产品线包括：用于“2100” 频段-1 (1920-1980 MHz)的BST 501，用于PCS频段-2 (1850-1910 MHz)的BST 502，以及用于AWS 频段-4 (1710-1755 MHz)、 日本频段-9 (1749.9 - 1784.9 MHz) 和拉美频段-10 (1710-1770 MHz)的BST 504。这 款产品都采用 x mm大小、10引脚封装。

在二月中即可提供BST 401 和BST 501的芯片和评估板。2011年第二季度可供应BST 402、 BST 502,、BST 404 和BST 504样片。

Black Sand 在中国

Black Sand 与深圳香海电子有限公司(Sanet Electronic Company, Ltd.)和富威电子器件有限公司（Rich Power Electronic Devices Co., Ltd.）签订了分销合作协议。 香海电子和富威电子向正在使用由Black Sand 提供的业内首款CMOS G功率放大器的中国客户提供专业的销售、分销和工程支持服务。

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