封装采用外形尺寸为2

矿山施工设备2020年01月30日

美国达尔科技上市了高电力密度的降压型DC-DC转换器用功率MOSFET模块“DMC1028UFDB”。该模块将n沟道型功率MOSFET和p沟道型功率MOSFET收纳在了一个封装内。封装采用外形尺寸为2.0mm×2.0mm×0.6mm的6端子U-DFN2020。适用于将+ . V输入电压转换为+1.0V，为ASIC等的核心部供电的POL（Point Of Load）转换器。具体用途包括：路由器装置、网络接口控制器（NICs）、开关装置及DSL适配器等。

可与PWM控制IC组合使用。n沟道型功率MOSFET的耐压为+12V。最大漏电流为6.0A。导通电阻方面，栅源间电压为+4.5V时为25mΩ（最大值），+ . V时为 0mΩ（最大值），+2.5V时为 2mΩ（最大值）。总栅极电荷为7.9nC（标称值）。输入电容为787pF（标称值）。输出电容为20 pF（标称值）。反馈电容为177pF（标称值）。栅极电阻为4.8Ω（标称值）。p沟道型功率MOSFET的耐压为-20V。最大漏电流为- .4A。导通电阻方面，栅源间电压为-4.5V时为80mΩ（最大值），- . V时为90mΩ（最大值），-2.5V时为100mΩ（最大值）。总栅极电荷为5.2nC（标称值）。输入电容为576pF（标称值）。输出电容为87pF（标称值）。反馈电容为71pF（标称值）。栅极电阻为15Ω（标称值）。价格未公布。银川十佳妇科医院
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