华虹NEC的01微米嵌入式闪存工艺取得进

　　纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）日前宣布，与多家智能卡行业龙头设计公司的合作顺利进行。基于华虹NEC的0.1 微米嵌入式闪存工艺（“EF1 0”）生产的SIM卡产品完成产品的可靠性测试并进入量产阶段，从而使EF1 0工艺的发展进入一个新的阶段。

　　EF1 0嵌入式闪存工艺的设计平台面向智能卡，MCU和SoC等产品。其工艺平台拥有中大容量的嵌入式闪存IP，齐全的模拟IP，高速静态随机存储器和低功耗设计库，高性能的IO单元以及完善的产品和测试方案。产品平台具备拓展性的1.6~5.5V宽电压支持能力。嵌入式闪存工艺在工业温度范围内已达到业界领先的可靠性指标，运用该技术平台开发的产品的擦写寿命超过 0万次，数据保存时间至少可达10年。该工艺同时具有极低的静态功耗，相当于同类工艺约10%的静态功耗，其特性使产品更具竞争优势。

　　嵌入式非易失性存储器工艺平台是华虹NEC战略技术发展方向之一，通过多年成功的市场运作积累，华虹NEC确立了在嵌入式非易失性存储器领域的领先地位，可为客户提供高品质高附加值的晶圆代工服务。华虹NEC将继续加强该工艺平台的发展，与客户进行深度合作，在智能卡领域携手前进。