威世上市符合第代DrMOS标准的功率MO

　　美国威世通用半导体（Vishay Intertechnology）上市了符合第 代DrMOS标准的功率MOSFET模块“SiC762CD”。DrMOS是由美国英特尔主导制定的电源电路相关标准。该模块把为微处理器提供电力所需的2种功率MOSFET（高端及低端）以及驱动这2种功率MOSFET的驱动器IC集成于一个封装内。通过在该模块上结合使用PWM控制器IC等，可构成驱动微处理器及图形芯片的电源电路（VR：voltage regulator）。主要面向服务器、台式电脑及图形卡等。

　　模块上除了面向高端开关及低端开关的2个n通道功率MOSFET之外，还配备有驱动器IC及阴极负载二极管。输入电压范围为＋ ～＋27V。可连续输出 5A的电流。为了在输入电压为＋24V、输出电压为＋0.8～＋2.0V时，获得最大的电源电路转换效率，该公司对功率MOSFET的导通电阻及栅极电荷等进行了设定。作为电源电路，开关频率最大可设定为1MHz。电源电路整体的转换效率在1MHz驱动时最大为92％。该模块与PWM控制器IC的接口逻辑电平为＋5V。

　　封装采用端子数为40、安装面积为6mm×6mm的PowerPAK MLP。定于2010年第一季度开始量产。批量购买时的交货期为12～16周。价格尚未公开。