采用PowerPAK SC-70封装

器件具有25A的连续漏极电流和2500V ESD保护能力，采用PowerPAK SC-70封装，占位面积为2mm x 2mm

宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK SC-70 封装的新款20V N沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA466EDJ。Vishay Siliconix SiA466EDJ的占位面积为2mm x 2mm，具有业内最高的封装限制电流，可使便携式电子产品实现更高的功率密度和可靠性。它同时也是业内唯一具有±20V的额定VGS，提供集成ESD保护功能的此类器件。

SiA466EDJ的25A封装限制电流比最接近的器件高1 %。在负载开关应用里，高额定电流为大涌入电流和短路等故障情况提供了额外的安全裕量。MOSFET集成ESD保护功能，保护能力达到2500V，能防止因触摸或人体接触而导致的静电破坏。

今天推出的器件是多用途的电源管理解决方案，可用于便携式电子产品。器件具有大电流和出色的导通电阻与栅极电荷乘积优值系数(FOM)，适用于无线和快速电池充电器、智能手机、平板电脑、笔记本电脑和电子锁里面的同步降压转换器和负载开关。

为提高高频开关应用里的效率，SiA466EDJ在10V、6V和4.5V下的导通电阻分别为9.5 mΩ、11.1mΩ和1 .0mΩ，可减少导通损耗，典型栅极电荷为6. nC，栅极电阻为0.9Ω，使开关损耗最小化。MOSFET经过了100%的RG测试，符合RoHS，无卤素。

SiA466EDJ现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十三周。
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